产品说明书

本品以异丙醇为溶剂，含有Ges单层和多层厚片。合成了纯度为99.9995%的Ges晶体，并将其分散到异丙醇(纯度为99.9999%的电子级化学品)中。由于起始材料(合成Ges晶体)是高度结晶的，超声波处理以分层Ges层的产率很高。锗硒晶体单层和多层悬浮于异丙醇溶液中。Ge se纳米材料的结晶性已通过电子能谱(EDAX)得到证实。拉曼光谱(半高宽<5cm-')和扫描电子显微镜(SEM)测量。 沉积在不同基底上的Ges薄片的横向尺寸从~10nm~10um，厚度从1L到10s层。

解决方案类型:默认情况下，2DsemiconductorsUSA将提供Ges悬浮异丙醇片，因为其分散性好、稳定性和高性能。然而，如果您的研究需要其他溶剂，请联系我们以了解更多详情并安排产品交付。

溶液浓度:为了降低运输成本，简化海关协议/边境检查流程，我们运输过饱和的2D溶液(根据2D层的类型，约为~80-120 mg/L)。然而，可以通过简单且经济高效的自旋铸造工艺稀释过饱和溶液，以产生250-500mL 的溶液，在所需的衬底上沉积2D层。

产品技术参数:

• 产品规格：

• C0.25mg/ml浓度 2ml IPA

  C0.25mg/ml浓度20ml IPA

产品技术参数:

进口硫化锗纳米片分散液GeS照片:

XRD:                                                                     SEM:

Raman:                                                                从GeS晶体收集的光致发光数据: